AP6679BGH دیتاشیت

AP6679BGH

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت AP6679BGH
حجم فایل 82.779 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت AP6679BGH

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: APEC(Advanced Power Elec) AP6679BGH
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 54.3W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 44nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 3500pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 63A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 495pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 9mΩ@10V,40A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: APEC(Advanced Power Elec)

محصولات مشابه